Numer produktu producenta:
TSM80N950CI C0G
Product Overview
Producent:
Taiwan Semiconductor Corporation
Numer części:
TSM80N950CI C0G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 6A ITO220AB
Szczegółowy opis:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 25W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Magazyn:
12897545
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TSM80N950CI C0G Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Taiwan Semiconductor
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
6A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
950mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
19.6 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
691 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
ITO-220AB
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Podstawowy numer produktu
TSM80
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TSM80N950CIC0G
TSM80N950CI C0G-DG
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
TSM80N950CI
PRODUCENT
Taiwan Semiconductor Corporation
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
TSM80N950CI-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.88
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TSM8N70CI C0G
MOSFET N-CH 700V 8A ITO220AB
TSM4NB60CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
TSM2301CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
